چکيده
با توجه به پيشرفت روزافزون علم در چند دهه اخير، يكي از مهم¬ترين اهداف و دغدغه¬هاي محققين افزايش انتقال حرارت و افزايش راندمان سيستم‌هاي ذخيره‌كننده انرژي با توجه به محدوديت منابع طبيعي و با هدف كاهش هزينه‌ها مي باشد. در سيالات معمولي به دليل كوچكي ضريب هدايت حرارتي، افزودن ذرات جامد با هدايت حرارتي بالا در ابعاد نانو، موجب بهبود انتقال حرارت مي¬شود كه اين ايده موجب پيدايش نانوسيالات شد. از طرفي مواد تغيير فازدهنده در هنگام تغيير فاز انرژي حرارتي را در دماي ثابت جذب يا آزاد مي¬كنند. براي جبران خواص حرارتي ضعيف اين مواد (پايين بودن ضريب هدايت حرارتي) از روش¬هاي مختلفي استفاده مي¬شود. يكي از اين روش¬ها كپسوله كردن مواد تغيير فازدهنده در مقياس نانو در يك سيال پايه است. اين روش از رسوب ماده تغيير فازدهنده جلوگيري مي¬كند. همچنين با افزودن نانوذرات فلز اكسيده شده به هسته كپسول مي‌توان اثر ميدان مغناطيسي را در آن¬ها فعال كرد و با ايجاد يك ميدان مغناطيسي خارجي نرخ انتقال حرارت را افزايش داد.
در سمينار حاضر، هدف بررسي جريان و انتقال حرارت نانوسيال شامل نانو¬ذرات ماده تغيير فاز دهنده كپسوله شده (NEPCM) در حضور ميدان مغناطيسي است. با اعمال ميدان مغناطيسي بر ميدان جريان سيال، مي‌توان رفتار هيدروديناميكي و هيدروترمال نانو¬سيال را تحت كنترل هدفمند درآورد كه روشي مطلوب جهت بهبود فرآيندهاي ذوب و انجماد مي¬باشد. در مطالعه حاضر، بر اساس روش¬هاي حل عددي و تجربي مناسب، تاثير ميدان مغناطيسي، جنس نانو¬ذرات ماده تغيير فاز دهنده، كسر حجمي نانو¬ذرات و عدد رينولدز بر روي پروفيل¬هاي دما، سرعت، ضريب انتقال حرارت جابجايي، ضريب اصطكاك و نرخ انتقال حرارت بررسي خواهد شد. همچنين نتايج حاصل از تحقيقات ساير محققين نيز مورد ارزيابي قرار خواهد گرفت.
