13430

مطالعه ميدان جريان و انتقال حرارت جابجايي نانوسيال شامل نانوذرات تغيير فاز دهنده كپسوله شده (NEPCM) در حضور ميدان مغناطيسي

1402

دكتر بازديدي طهراني

با توجه به پيشرفت روزافزون علم در چند دهه اخير، يكي از مهم¬ترين اهداف و دغدغه¬هاي محققين افزايش انتقال حرارت و افزايش راندمان سيستم‌هاي ذخيره‌كننده انرژي با توجه به محدوديت منابع طبيعي و با هدف كاهش هزينه‌ها مي باشد. در سيالات معمولي به دليل كوچكي ضريب هدايت حرارتي، افزودن ذرات جامد با هدايت حرارتي بالا در ابعاد نانو، موجب بهبود انتقال حرارت مي¬شود كه اين ايده موجب پيدايش نانوسيالات شد. از طرفي مواد تغيير فازدهنده در هنگام تغيير فاز انرژي حرارتي را در دماي ثابت جذب يا آزاد مي¬كنند. براي جبران خواص حرارتي ضعيف اين مواد (پايين بودن ضريب هدايت حرارتي) از روش¬هاي مختلفي استفاده مي¬شود. يكي از اين روش¬ها كپسوله كردن مواد تغيير فازدهنده در مقياس نانو در يك سيال پايه است. اين روش از رسوب ماده تغيير فازدهنده جلوگيري مي¬كند. همچنين با افزودن نانوذرات فلز اكسيده شده به هسته كپسول مي‌توان اثر ميدان مغناطيسي را در آن¬ها فعال كرد و با ايجاد يك ميدان مغناطيسي خارجي نرخ انتقال حرارت را افزايش داد. در سمينار حاضر، هدف بررسي جريان و انتقال حرارت نانو‌سيال شامل نانو¬ذرات ماده تغيير فاز دهنده كپسوله شده (NEPCM) در حضور ميدان مغناطيسي است. با اعمال ميدان مغناطيسي بر ميدان جريان سيال، مي‌توان رفتار هيدروديناميكي و هيدروترمال نانو¬سيال را تحت كنترل هدفمند درآورد كه روشي مطلوب جهت بهبود فرآيندهاي ذوب و انجماد مي¬باشد. در مطالعه حاضر، بر اساس روش¬هاي حل عددي و تجربي مناسب، تاثير ميدان مغناطيسي، جنس نانو¬ذرات ماده تغيير فاز دهنده، كسر حجمي نانو¬ذرات و عدد رينولدز بر روي پروفيل¬هاي دما، سرعت، ضريب انتقال حرارت جابجايي، ضريب اصطكاك و نرخ انتقال حرارت بررسي خواهد شد. همچنين نتايج حاصل از تحقيقات ساير محققين نيز مورد ارزيابي قرار خواهد گرفت.

1/1/1900 12:00:00 AM

82903

1403/03/24