چکيده
در سال هاي اخير مهم ترين مسئله در شاخه الكترونيك قدرت كاهش تلفات توان و بهبود راندمان در سيستم مبدل هاي قدرت بوده استRB-TGBT . يك قطعه جديد است كه توانايي تحمل كردن ولتاژ معكوس را دارد، در حالي كه IGBT معمولي اين قابليت را ندارد. اغلب ادوات قدرت رايج قابليت انسداد معكوس ولتاژ را ندارند و نيازمند ديود سري مي¬باشند. توپولوژي هاي مداري كه نيازمند قابليت انسداد معكوس بودند به اين خاطر كه ادوات قدرت رايج نمي¬توانستند ولتاز معكوس را مسدود كنند ناديده گرفته مي¬شدند. از آنجايي كه RB-IGB اين محدوديت را ندارد با استفاده از آن توپولوژي هاي مداري جديدي به وجود آمدند، كه تلفات اضافي را كاهش مي¬دهند. شكل (1-1) وضعيت هدايت دستگاه هاي نيمه هادي قدرت مانندIGBT وترانزيستور قدرت و GTO را در باياس معكوس و مستقيم نشان مي¬دهد. همانطوركه مشاهده مي شود IGBT و ترانزيستور قدرت و GTO در حالت عادي اجازه ي عبور جريان را در باياس مستقيم مي¬دهند ولي در باياس معكوس اين اجازه را نمي¬دهند. اما اگر يك ديود با آنها موازي شود جريان را در باياس معكوس هدايت مي¬كنند، در حالي كه تراشه RB-IGBT جريان را در باياس معكوس مسدود مي¬كند[1]. در واقع سوييچ هايي كه بر اساس ترانزيستور ساخته شده اند مانند RB-IGBT، بدليل اين كه روي روشن و خاموش شدن آنها كنترل داريم، نسبت به سوييچ هايي كه بر اساس تريستور ساخته شده اند، از اولويت بيشتري برخوردار هستند. در اين گزارش در فصل دوم در مورد ساختار سوييچ IGBT و همچنين انواع آن و كاربرد هاي آن بحث شده است. در فصل سوم به طور مفصل سوييچ RB-IGBT بررسي و تحليل شده است، همچنين ساختار هاي مختلف آن نشان داده شده است. در فصل آخر نيز مقايسه اي بين انواع RB-IGBT و همچنين بين RB-IGBT و IGBT صورت پذيرفته است.
