10223

10223

ارايهي يك راهكار براي تعامل ميان مدارات دودويي و سهتايي در فناوري اتوماتاي سلولي كوانتومي

كارشناسي ارشد

كامپيوتر- معماري سيستمهاي كامپيوتري

تير 1391

تير 1391

دكتر شريفي

دكتر ناوي

گرايش فناوري ساخت مدارات و قطعات الكترونيكي، يعني فناوري رF مي رود كه بتواند از قانون مو 0 1 همچنان تبعيت نمايد. از اين رو محققان بر اين شده اند تا با كاهش يF اندازه ي ويژگ 1 2 مدارات مبتني بر ترانزيستور، به اين مهم دست يابند. اما با پيشرفت اين كاهش در اندازه يF و ورود به حوزه ي زير-ميكرون 2 3، مشكلات متعددي به خاطر ماهيت فيزيكي و محدودي تهاي اين فن اوري به وجود خواهد آمد و از اين رو مي بايست به دنبال فناوري خاص ديگري باشي م كه جايگزيني براي به حساب آيد. CMOS فناوري مبتني بر نانو اتوماتاي سلولي ،CMOS يكي از اميدبخش ترين جايگزين هاي فناور ي يF كوانتوم 3 مي باشد. اين فناوري به لحاظ ماهيت كاملا متفاوت خود، مي تواند مزاياي بسيار (QCA) 4 زيادي از قبيل چگالي بالا، مصرف توان بسيار ناچيز، سرعت سوييچينگ بالا و عملكرد در دماي اتاق را در صورت گرفته است را مي توان به دو QCA اختيار ما قرار دهد. به طور كلي تحقيقاتي كه در زمينهي يF بخش منطق دودوي 4 يF 5 و منطق چند مقدار 5 يF 6 (به ويژه منطق سهتاي 6 7) تقسيم كرد. تا به امروز در هر دو بخش كارهايي صورت گرفته و مداراتي نيز ارايه شده است. با توجه به جديد بودن نسبي هر دو حيطه ي تحقيقاتي، اين نكته به نظر ميرسيد كه وجود تعامل ميان هر دو نوع مدار با توجه به قابليت هاي هر كدام، مي تواند مفيد باشد تا بدين ترتيب بتوان از مزاياي هر دو در كنار هم بهره مند شد . در اين پايان لF نامه يك راهكار جديد به منظور تعامل اين دو نوع مدار ارايه شده و يك واسط يا مبد 7 8 دودويي به سه - تايي (و برعكس) طراحي شده است. در ادامه، به منظور تبيين اهميت اين مبدل، يك تقاطع همسطح جديد را به عنوان يكي از كاربردهاي مهم اين مبدل مطرح و عملكرد صحيح آن را اثبات خواهيم كرد. لازم ر 9 انجام شده و صحت عملكرد F به ذكر است براي هر دو مدار جديد پيشنهادي، محاسبات به صورت فراگي 8 هر دو مدار نشان داده مي شود. مشخصات به دست آمده براي مدارات پيشنهادي از قبيل تأخير، مساحت اشغالي و تعداد سلول هاي مورد استفاده، كارايي اين مدارات را نشان مي دهند. واژه هاي كليدي: اتوماتاي سلولي كوانتومي، منطق چند مقداري، منطق سهتايي، مبدل دودويي/سه- تايي، تقاطع همسطح