10653

10653

بررسي كشش تك محوري بر گاف نواري گرافين

كارشناسي ارشد

فيزيك - حالت جامد

اسفندماه 1390

اسفندماه 1390

دكتر اميرحسين احمدخان كردبچه

يكي از موضوعاتي كه در سال هاي اخير مورد مطالعه بسياري از فيزيكدانان قرار گرفته، بررسي سيستم هاي مزوسكوپيك و نانوساختارها مي باشد. يكي از انواع اين نانوساختارها گرافين مي باشد كه بررسي خواص رسانايي آن هدف ما در اين پايان نامه مي باشد. در اينجا خصوصيات ترابرد الكتريكي گرافين؛ به وسيله تقريب لاندائور و مدل بستگي قوي مورد بررسي قرار گرفته و اثرات كشش تك محوري بر ضريب ترابرد الكترون هاي ورودي به سيستم مطالعه شده است. مي بينيم كه اگر كشش اعمال شده در امتداد دسته مبلي باشد، نمي تواند باعث ايجاد گاف شود. در حالي كه اگر در امتداد زيگزاگ باشد و مقدارش نيز بيشتر از 23/0 شود، در ايجاد گاف موثر خواهد بود. سپس به مقايسه ترابرد الكتريكي در دو لبه زيگزاگ و دسته مبلي مي پردازيم و با توجه به نمودارها نشان مي دهيم كه رسانايي در لبه زيگزاگ بيشتر از لبه دسته مبلي مي باشد. همچنين نشان مي دهيم كه با حذف يكي از صفحات متصل به سيستم، ترابرد الكتريكي افزايش پيدا خواهد كرد كه اين مورد ناشي از پديده درآميختگي باندها مي باشد. واژه‌هاي كليدي: گرافين، روش لاندائور، تابع گرين، مدل بستگي قوي، ترابرد الكتريكي.