11477

11477

بررسي اثر طول و نقص ساليتوني بر رسانش سيم مولكولي پلي استيلن

كارشناسي ارشد

فيزيك - حالت جامد

بهمن ماه 1391

بهمن ماه 1391

دكتر ادريس فيض آبادي

چكيده درك مكانيزم عبور جريان در نانوساختارها براي توسعه قطعات الكترونيكي ضروري است. با توجه به اهميت خواص ترابري از ساختارهاي مولكولي، در اين تحقيق يك سيم مولكـولي يك¬بعدي را به دو رابط متصل كرده، با درنظر گرفتن هاميلتوني سيستم در مدل بستگي قوي با استفاده از نظريه¬هاي لاندائر و با به¬كارگيري رهيافت قدرتمند تابع گرين به محاسبه ضريب عبور سيستم مي¬پردازيم. همچنين در اين پژوهش ما اثرات تغيير طول زنجيره، عرض رابط، و نيز حضور نقص¬هاي ساليتوني و پيوند را بر ويژگي¬هاي الكترونيكي سيم را بررسي خواهيم كرد. محاسبات عددي ما نشان داد كه ويژگي¬هاي ترابرد به شدت به جايگاه ساليتون، مكان نقص پيوند، عرض رابط و طول زنجيره وابسته است. در حالتي¬كه مكان ناخالصي به ميانه سيم نزديك باشد، رسانش سامانه در محدوده انرژي فرمي بيشتر خواهد بود. هنگامي كه طول سيم مولكولي را افزايش دهيم، رسانش سيم به صورت نمايي كاهش مي¬يابد. در رابط¬هاي با عرض محدود (عرض يك تا حدود 7 مولكول) رسانش در رابط¬هاي عريض¬تر بهتر مي¬باشد. با افزايش بيشتر عرض رابط رسانش تغيير چنداني نمي¬كند. در زنجيره¬هاي يك¬بعدي با تعداد جايگاه زوج، رسانش در انرژي فرمي بسيار اندك است، در حالي¬كه در سيم¬هاي با طول فرد رسانش خوبي در انرژي فرمي خواهيم داشت. واژه‌هاي كليدي: ترابرد كوانتومي، سيم مولكولي، نانو الكترونيك، تابع گرين، زنجيره پلي-استيلن.