15631

15631

بررسي اثر تهي جايگاه و ناخالصي اندرسون بر ترابرد بار و اسپين در نانو نوار زيگزاگسيليسين و فسفرين

كارشناسي ارشد

حالت جامد

دي ماه 1394

دي ماه 1394

دكتر مهدي اسماعيل زاده

دكترسميه احمدي

فيزيك

چكيده در اين پايان¬نامه ابتدا رسانش الكتريكي را در نانونوارهاي زيگزاگ فسفرين و سيليسين با ايجاد اثرهاي تك تهي¬جايگاه و دو تهي¬جايگاه با استفاده از هاميلتوني بستگي قوي و با روش تابع گرين غير تعادلي و فرمول لانداير مطالعه مي¬كنيم.فسفرين(سيليسين) يك نانو نوار دو بعدي است كه يك گاف ذاتي در ساختار نواري¬اش وجود دارد. ابتدا با بررسي ناخالصي اندرسون در نانو نوار فسفرين به اين نتيجه مي¬رسيم كه ناخالصي باعث كاهش رساناييحول انرژي فرمي صفر در سيستم مي¬شود. در ادامه به بررسي اثر تهي¬جايگاه در نانو نوارهاي زيگزاگ سيليسين و فسفرين مي¬پردازيم و اثر آن را بر رسانش وابسته به اسپين بررسي مي-كنيم.نشان خواهيم داد كه با اعمال ميدان الكتريكي پايين¬تري در نانو نوار فسفرين مي¬توانيم به رسانش صفر برسيم كه اين امر در اثر ايجاد تك تهي¬جايگاه و دو تهي¬جايگاه غيرهم¬صفحه در سيستم بوجود مي¬آيد. همچنين در حضور ميدان تبادليو ميدان الكتريكي در نانو نوار فسفرين هر دو اسپين مي¬توانند از نمونه عبوركنند اما در اثر تك تهي¬جايگاه و دو تهي¬جايگاه غيرهم¬صفحه فقط يكي از اسپين¬ها از نمونه عبور مي¬كند يعني در اثر تك تهي¬جايگاه و دو تهي¬جايگاه مي¬توانيم از سيستم به عنوان فيلتر اسپيني استفاده كنيم.در آخر به بررسي اثر تهي¬جايگاه در نانو نوار زيگزاگ سيليسين مي¬پردازيم و به اين نتيجه مي¬رسيم كه رسانش نانو نوار سيليسين نسبت به رسانش نانو نوار فسفرين در اثر تهي¬جايگاه تغييرات بسيار ناچيزي دارد. واژه‌هاي كليدي:نانو نوار، سيليسين، فسفرين، تابع گرين غيرتعادلي، ميدان الكتريكي، فرومغناطيس، ناخالصي اندرسون،تهي¬جايگاه