17497

17497

بررسي خواص ترابرد الكتروني MoS2 توسط روش تابعي چگالي

كارشناسي ارشد

حالت جامد

اسفند 1395

دكتر مهدي افشار ارجمند

دكتراميرحسين احمد خان كردبچه

فيزيك

درچندين دهه‌ اخير با رشد علم نانو و تلاش براي تركيب مواد‌‌ مغناطيسي و نيمه‌رسانا، به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي نيمه‌فلزات پرداخته ‌شده است، با كوچكتر شدن لوازم الكترونيكي نياز براي ساخت قطعات كوچكتر با بازدهي بالاتر و مصرف كمتر بيشتر مي شود. به همين دليل ساخت مواد در ابعاد نانو و تغيير خواص آن ها بر حسب نياز مورد اهميت خاصي قرار دارد. در دهه اخير، توجه دانشمندان از ميان تمامي اين مواد به مواد دو بعدي از جمله گرافن جلب شده است، اما يكي از مشكالات بزرگ اين ماده نداشتن گاف انرژي مي باشد، به همين علت پژوهش ها به سمت MoS2 روي آوردند كه در حالت دو بعدي داراي گاف انرژي مستقيم مي باشد. دراين پايان‌نامه با استفاده از نظريه ‌تابعي ‌چگالي DFT و با استفاده از كد‌ محاسباتي SIESTA/TRANSIESTA و با تقريب GGA، خواص الكتريكي و مغناطيسي موليبدن دي سولفايد مورد بررسي قرار گرفته است. دو ساختار با اتم هاي مختلف در لبه بررسي شده، خواص الكتريكي و مغناطيسي آنها مورد بحث قرار گرفته در نهايت ويژگي هاي ترابردي آن ها بررسي شده است.

1396/03/24

1/1/1900 12:00:00 AM

Charge effect on I-V characteristics of single layer zigzag nanoribbon MoS2 (Z-NR-MoS2) are studied using first-principles quantum transport calculations. We show that the internal electric polarization is strongly dependent on dominating edge atoms, hence, two structures with different edge atoms are investigated. Our calculations show that due to this internal polarization a large negative differential resistance (NDR) is observed.