• شماره ركورد
    17794
  • شماره راهنما(اين فيلد مربوط به كارشناس ميباشد لطفا آن را خالي بگذاريد)
    17794
  • پديد آورنده

    شايان عدالت منش

  • عنوان
    بررسي رسانش نانونوارهاي گرافين با بسته نرم افزاري TranSIESTA
  • مقطع تحصيلي
    كارشناسي ارشد
  • رشته تحصيلي
    حالت جامد
  • تاريخ دفاع
    اسفند ماه 1395
  • استاد راهنما
    دكتر افشين نميرانيان
  • دانشكده
    فيزيك
  • چكيده
    نانونوارهاي گرافين با توجه به ويژگيهاي غير معمول خود مانند ترابرد منحصر به فرد حاملهايشان، در آينده نانو الكترونيك نقش بسيار مهمي را ايفا خواهند كرد. از اين رو مطالعه دقيق و تحقيق بر روي اين نانونوارها مهم مينمايد. در اين پايان نامه ترابرد حاملها و جريان عبوري از يك نانو نوار گرافين زيگزاگ به ازاي اختلاف پتانسيل- هاي مختلف اعمال شده به الكترودهاي حاضر در دو انتهاي آن براي حالت هاي نانونوار گرافين منظم و نانونوار گرافين داراي نقص تهي جايگاه مورد بررسي قرار گرفته است. اين پژوهش در چارچوب نظريه تابعي چگالي و با بهره گيري از روش توابع گرين غيرتعادلي با استفاده از كدهاي محاسباتي SIESTA و TranSIESTA و به كمك رهيافت شيب تعميم يافته ) GGA ( انجام گرفته است.
  • تاريخ ورود اطلاعات
    1396/03/23
  • تاريخ بهره برداري
    1/1/1900 12:00:00 AM
  • دانشجوي وارد كننده اطلاعات

    شايان عدالت منش

  • چكيده به لاتين
    Graphene, the thinnest possible material for constructing micro- or nanomembranes, has drawn a lot of attention to itself in the recent decade. Today, it is a common belief that with fully functionalized graphene nanoribbons, nano electronics could make a giant leap forward. So it is a necessity to dedicate more time and resources to study them furthermore. In this thesis, density functional theory (DFT) calculations have been performed for structure calculations using SIESTA computational code and Non-equilibrium Green’s Function (NEGF) technique is employed by using TranSIESTA code to study the effects of monovacancy defects on electronic transport properties of zigzag graphene nanoribbons (ZGNRs). In these calculations, systems were geometrically optimized by SIESTA, and GGA (PBE) method has been applied for its high accuracy. The calculation method deals with the finite bias voltage in a fully self-consistent manner and treats both the semi-infinite electrodes and the scattering region with the same details.