31336

طراحي و ساخت تقويت كننده باند Ku با استفاده از تكنولوژي GaN Bare Die

كارشناسي ارشد

مهندسي فناوري ماهواره - برق- مخابرات

1400

25 شهريور 1403

دكتر وحيد نيري

ندارم

فناوري هاي نوين

در اين پايان‌نامه به بيان روند طراحي و ساخت تقويت‌كننده باند Ku فركانس 13.5 – 12.5 گيگاهرتز با استفاده از ترانزيستور Bare Die 6 واتي در كلاس AB خواهيم پرداخت. اهم فعاليتهاي انجام گرفته در اين پژوهش عبارتند از: 1- مطالعه رفتار وايرباندها 2- مدل‌سازي و شبيه‌سازي وايرباندها و اطمينان از نتايج شبيه‌سازي با استفاده از نتايج اندازه‌گيري چند مدار تست. 3- مطالعه و آشنايي با فرايند مونتاژ ترانزيستور توان داي. 4- طراحي تقويت‌كننده. 5- ساخت و اندازه‌گيري‌هاي تقويت‌كننده. در انتها موفق شديم تقويت‌كننده تواني در باند فركانسي 13.5 – 12.5 گيگاهرتز با توان اشباع حداقل 5 وات و گين متوسطdB 6، بازدهي درين حداقل 40 درصد و حداقل بهره سيگنال كوچكdB 8.5 مطابق نتايج اندازه¬گيري هاي انجام شده دست يابيم. در اين پايان‌نامه همچنين علاوه بر مروري سريع بر كارهاي پيشين به چالش‌ها و مشكلات HMICها در روند مدل‌سازي، طراحي و ساخت پرداخته شده است.

1403/07/21

Design and Fabrication a Ku Frequency PowerAmplifier Using GaN Bare Die Technology

9/15/2025 12:00:00 AM

In this thesis, we present the design and fabrication process of a Ku-band power amplifier operating at 12.5–13.5 GHz using a 6W bare die transistor in Class AB. The key activities carried out in this research include: Studying the behavior of wire bonds. Modeling and simulating wire bonds and verifying the simulation results through measurements of several test circuits. Studying and familiarizing with the assembly process of high-power die transistors. Designing the amplifier. Fabricating and measuring the amplifier. In the end, we successfully achieved a power amplifier in the frequency band of 12.5–13.5 GHz with a minimum saturated output power of 5 watts, an average gain of 6 dB, a drain efficiency of at least 40%, and a minimum small-signal gain of 8.5 dB, based on the measurement results. This thesis also provides a brief review of previous works and discusses the challenges and issues related to HMICs (Hybrid Microwave Integrated Circuits) in the modeling, design, and fabrication process.

تقويت كننده قدرت باند كي يو , داي , ترانزيستور گن , تقويت كننده مايكرويو هايبريد

Ku Band Amplifier , Bare Die , GaN HEMT Transistor , HMIC Amplifier

ehsan rafiei

Dr. vahid nayyeri