6931

بررسي و مدل سازي پديده مهاجرت اتم هاي نيمه هادي هاي گروه III-V با رويكرد نظريه Muraki و مقايسه آن با نظريه Kinetic Model

كارشناسي

مهندسي برق-الكترونيك

1399

دكتر وحيد رضا يزدان پناه

1399/08/07

مهندسي برق

study and modeling of 3-5 semiconductor materials segregation with Muraki model and comparing the results with Kinetic mode

در اين پايان نامه تمامي مدل هاي موفق شبيه سازي پديده مهاجرت اتم ها بررسي شده است. سپس به كمك داده هاي تجربي مقالات متعددي كه در سال هاي اخير در اين زمينه پژوهش كرده اند پارامتر هاي اين مدل ها اندازه گيري شده و به كمك نرم افزار matlab شبيه سازي هاي اين مدل ها را انجام داده و با داده هاي تجربي مقايسه شده است. در نهايت سعي شده به كمك برنامه نويسي با اين نرم افزار براي كليه نيمه هادي هاي گروه III-V به كمك مدل kinetic مهاجرت اتم ها در شرايط مختلف رشد (دماي رشد، سرعت رشد و...) پيش بيني شود.

نانوالكترونيك , لايه نشاني , مهاجرت اتم ها