شماره ركورد
7061
پديد آورنده
سيده مريم مدني
عنوان
طراحي و شبيهسازي پاسخ حالت گذاري معكوسكننده ترانزيستور تونلي
مقطع تحصيلي
كارشناسي
رشته تحصيلي
مهندسي برق-الكترونيك
سال فارغ التحصيلي
1399
استاد راهنما
دكتر محمدعظيم كرمي
دانشجوي وارد كننده اطلاعات
سيده مريم مدني
تاريخ ورود اطلاعات
1399/10/09
دانشكده
مهندسي برق
عنوان به انگليسي
Design and simulation of a TFET inverter composed of several semiconductors
چكيده
امروزه با پيشرفت تكنولوژي به سمت استفاده از ادوات كم مصرف و از نظر اندازه كوچك، ارائه روشها و ساختارهاي تا حد ممكن كم مصرف اهميت زيادي پيدا كردهاست. بنابراين، پژوهشگران اين عرصه همواره به دنبال يافتن روشهايي براي كاهش توان مصرفي مدارها و افزارههاي الكترونيكي هستند. كاهش ابعاد ترانزيستورهاي اثر ميداني ماسفت از تكنولوژي 65 نانومتر به بعد منجر به بحران توان مصرفي، مخصوصا از نظر مصرف توان استاتيك شدهاست. بنابراين، براي بهبود توان مصرفي در مدارهاي الكترونيكي، افزارههايي با سرعت كليد زني بالا نامزدهاي مناسبي براي جايگزني ماسفتها به شمار ميروند. در اين ميان، ترانزيستورهاي اثر ميداني تونلي كه ديودهاي p-i-n داراي گيت هستند و جريان روشني آنها به طور غالب ناشي از تونل زني باند به باند ميباشد. به علت ساختار و عملكرد منحصر به فرد و همچنين به دليل برتري كه در توان مصرفي خود نسبت به تكنولوژي سيماس دارند، بسيار مورد توجه قرار گرفتهاند. براي جايگزيني اين ترانزيستورها در صنعت، بهبود مشخصههاي آنها ضروري ميباشد.
در اين پايان نامه، ابتدا به بررسي محدوديتهاي تكنولوژي سيماس پرداخته شدهاست. سپس، عملكرد ترانزيستورهاي تونلي با ماسفت معمولي مقايسه گرديده و روشهاي بهبود رفتار ترانزيستورهاي تونلي عنوان شدهاند. در ادامه، به نحوهي شبيهسازي ترانزيستورهاي تونلي در نرم افزار شبيه ساز و بررسي مدلهاي تونل زني پرداخته شدهاست. در بخش بعد، ترانزيستور تونلي نوعn و نوعp طراحي و شبيه سازي شدهاند و همچنين تحليلگر تركيبي مدار و افزاره براي بررسي پاسخ گذراي معكوس كننده تونلي به كار گرفته شدهاست. كه نتايج حاصل از شبيهسازيها آورده شدهاست.