7229

تحليل تاثير پديده مهاجرت اتمي نيمه هادي هاي گروه 3-5 بر ساختار ليزر 808 و ال اي دي 660 با استفاده از مدل كينتيك و مدل كي.پي

كارشناسي

مهندسي برق-الكترونيك

1400

دكتر وحيدرضا يزدان پناه

دكتر وحيدرضا يزدان پناه

1400/02/28

مهندسي برق

study of 3-5 semiconductors atomic segregation and its effect on 808nm laser and 660nm diode using kinetic and k.p model

در اين پايان نامه مدل موفق Kinetic براي شبيه سازي پديده مهاجرت اتم ها به طور كامل بررسي و در باره ي مدل موراكي نيز توضيح مختصري آورده شده است. شبيه سازي اين مدل به كمك نرم افزار متلب و شبيه سازي طول موج تابش با استفاده از نرم افزار سيلواكو است و سپس براي چند ساختار نيمه هادي شامل ساختار ليزر 808 و ديود 660 تاثير پديده مهاجرت بر طول موج تابش و گاف انرژي بررسي شده است. در نهايت تلاش شده است تا با ارائه روشي براي جبران خطاي ناشي از مهاجرت اتمي در طول موج تابش شده از اين مواد ارائه شود و ساختار اين دو ماده به اين روش اصلاح شود و همچنين مقايسه اي بين روش هاي اصلاح صورت گيرد.