8186

بهبود عملكرد مشخصه هاي DC ترانزيستور اثر ميداني تونلي

كارشناسي

مهندسي برق

1401

جناب آقاي دكتر محمد عظيم كرمي

جناب آقاي عيوضي

1401/08/21

برق

Performance Enhancement of TFET DC Characteristic

كاهش مداوم ابعاد ترانزيستورها (به ويژه كمتر از 10 نانومتر) با يك تهديد واقعي رو به رو است كه به دليل افزايش اتلاف توان در تغيير حالت خاموش به روشن در ترانزيستور است. تي فت هاي مبتني بر لايه هاي فوق نازك نيمه هادي يا نانوسيم ها مي توانند به كاهش 100 برابري توان نسبت به ترانزيستورهاي سي ماس (CMOS) دست يابند، بنابراين ادغام تي فت ها با فناوري سي ماس مي تواند مصرف مدارهاي مجتمع كم را بهبود بخشد. با اين حال، جايگزيني ماسفت ها به دليل جريان روشني كم تي فت ها و محدوديت هاي ديگر آن ها امكان پذير نمي باشد، مگر اين چالش ها بر طرف شوند. در اين پروژه سعي بر بهبود مشخصه هاي دي سي ترانزيستور اثر ميدان تونلي با ارائه ساختار هاي متفاوتي مثل استفاده از اكسيد گيت با ثابت دي الكتريك زياد، ساختار ناهمگون در اكسيد گيت، استفاده از مواد با شكاف باند كمتر و ... داريم.

ترانزيستور اثر ميدان تونلي (تي فت)- مشكل توان در ماسفت ها- مقياس بندي ترانزيستور ها- تونل زني باند به باند