8496

بررسي غلظت ناخالصي و زاويه كاشت يون بر عملكرد ديود زنر

كارشناسي

فيزيك

1402

دكتر شهاب نوروزيان علم

دكتر شهاب نوروزيان علم

1402/06/14

فيزيك

Study of the effect of doping concentration and tilt angle on Ion-implantation in a Zener diode using Silvaco

در دنياي امروز، ديود زنر كاربرد وسيعي در اقسام نقاط صنعت مانند مدار هاي برش دهنده، مدار هاي انتقال دهنده ولتاژ، تنظيم كننده ولتاژ مدار و مدار هاي حافظ از ولتاژ مازاد به كار مي‌رود. از مهم ترين شاخصه هاي اين ديود مي‌توان به ولتاژ شكست اشاره نمود كه فاكتور هايي مانند ضخامت هاي هر لايه، صخامت ويفر، عمق نفوذ و غيره در اين شاخصه تاثير گذارند. در اين مقاله با استفاده از نرم افزار Silvaco به شبيه سازي يك ويفر سيليكوني كريستالي مي‌پردازيم. در اين حين، به دو متغير كه زاويه كاشت يون و غلظت ناخالصي هاي حامل ها مي‌باشد پرداخته مي‌شود تا اثر آنها ديده شود.