10295

بررسي مهاجرت اتم هاي نيمه رسانا در ابر شبكه هاي كوانتومي بر اساس مكانيزم سه لايه سيال و روش تنگ بست

1400

دكتر وحيدرضا يزدان پناه

آلياژهاي سه تايي III-V با داشتن باند گاف قابل تنظيم، پايه اي براي مهندسي دستگاه هاي الكترونيكي پيشرفته، مبتني بر ساختارهاي محدود كوانتومي از جمله چاه هاي كوانتومي ، نانوسيم ها و نقاط هستند. در اين زمينه ، نانوسيم هاي هسته-پوسته درجه هاي هندسي مفيدي از آزادي را در طراحي ساختارهاي ناهمگن فراهم مي كنند ، اما مهاجرت آلياژها غالباً در پوسته هاي رونشستي، حتي بدون وجود كرنش دررابط، مشاهده مي شود. يكي از روشهاي استاندارد براي محاسبه خصوصيات تقارن صحيح باند هاي انرژي اين نوع نيمه هادي ها، مدل تنگ بست است؛ كه بوسيله آن بدست آوردن راه حلي براي باندهاي انرژي در يك نقطه دلخواه منطقه بريليون بسيار آسان است. مدلهاي مختلفي براي توصيف تبادل اتمهاي گروه IIIوV در نيمه هادي ها استفاده ميشود كه اگر مقايسه كنيم ميبينيم كه روشهاي معمول استفاده شده ، فقط مهاجرت بين دو تك لايه مجاور را در نظر مي گيرند كه براي توصيف مشاهدات تجربي كافي نيستند. اما مكانيزم تبادل سه لايه سيال (F3LE) توصيف بهتري از روند تبادل را نسبت به مدل هاي ديگر ارائه مي دهد. در اين حالت مهاجرت و جداسازي در كل ساختار ابرشبكه به طور دقيق توسط يك مدل يك بعدي مي تواند تعريف شود و با مكانيزم سه لايه سيال پيشنهاد شده، امكان توصيف درست انتشار هر اتم فراهم ميگردد. در فرآيند اين سمينار چگونگي مهاجرت اتمي و تاثير آن بر خصوصيات الكترونيكي و ساختاري ابرشبكه ها را نشان مي دهيم. و به پيشنهادات جديدي كه براي بهبود اين خصوصيات در سالهاي اخير ارائه شده است، مي پردازيم. هدف ما در اين سمينار ، آشنايي بيشتر با مدل مهاجرت اتمي سه لايه سيال و محاسبه انرژي باند گاف با روش تنگ بست و بررسي مزيت هاي اين روش ها نسبت به ساير مدل ها است.

11/30/2021 12:00:00 AM

73485

1400/09/30

analysis segregation of atoms in quantum superlattice based on three-layer fluid mechanism and tight binding method

مهاجرت اتمي , باند انرژي , مكانيزم تبادل سه لايه , روش تنگ بست , اپتوالكترونيكي

Segregation , Energy band , Three-layer fluid exchange mechanism , Tight binding method , Optoelectronics