10685

اشكان گل محمدي رستمي

95-98

دكتر حجت

ترانزيستور HEMT يك نوع ترانزيستور FET مي¬باشد كه به دليل ساختمان فيزيكي فوق العاده¬اش داراي خواص منحصر به فردي است ، به طوري كه اين ترانزيستور را در جايگاه ويژه¬اي نسبت به بقيه ترانزيستور ها قرار داده است . اين ترانزيستور به دو صورت AlGaAs/GaAs و AlGaN/GaN مي¬باشد كه اولي رايج-تر مي¬باشد و دومي هزينه بالاتري دارد . اين ترانزيستورها داراي سرعت بسيار زياد و ولتاژ شكست بالا و قابلبيت حركت الكترون بسيار بالا مي¬باشند كه منجر به استفاده اين ترانزيستور در تقويت كننده¬¬هاي توان و سيستم¬هاي فركانس بالا مي¬شود . در اين سمينار ابتدا به عملكرد فركانس بالا و DC ، سپس تشريح ساختمان فيزيكي و مدل دقيق مداري HEMT مي¬پردازيم و اثرات پالسهاي توان بالا مايكرويو بر ترانزيستور را مورد بررسي قرار مي¬دهيم و در بخشهاي بعدي كاربرد HEMT در يك سيستم مخابرات ماهواره¬اي در باند K/Ka ، رادار دريايي ، آنتن آرايه فازي و تقويت¬كننده مجتمع شده با آنتن مايكرواستريپ با سطح مقطع دايروي را مورد بحث و بررسي قرار مي¬دهيم و در بخشهاي پاياني به بررسي يك تقويت كننده توان كه از ترانزيستور HEMT در طراحي آن استفاده شده است را تحليل مي كنيم و در بخش بعدي به مبدل¬هاي DC-DC با بكارگيري HEMT مي-پردازيم و در آخرين قسمت هم سوييچ¬هاي SPDT با بكارگيري HEMT را بررسي مي¬كنيم .

1/1/1900 12:00:00 AM

74708

1401/02/10

Analyse and Application of GaN HEMT Transistors in Microwave Systems

ترانزيستور، مبدل، نيمه رسانا

HEMT