10879

بررسي روش هاي مدلسازي ترانزيستورهاي توان بالا GaN HEMT

1400

دكتر جواد ياوند حسني

خواص منحصر به فرد ماده GaN، گپ پهن ، رسانايي حرارتي بالا، ولتاژ شكست بالا، تحرك الكترون بالا، و ويژگي هاي دستگاه GaN HEMT (ترانزيستور با تحرك الكترون بالا) يعني ظرفيت پارازيتي كم، مقاومت روشن شدن كم و فركانس برش بالا آن را انتخاب خوبي براي استفاده در تقويت كننده هاي قدرت مي كند. در اين دوره از ارتباطات بي‌سيم با طرح‌هاي مدولاسيون پيچيده كه نسبت توان بالايي به متوسط ساير گروه ها دارند، حفظ كارايي و خطي بودن تقويت‌كننده‌هاي توان كاري دشوار است[1].از طرفي به دليل روندهاي جهاني افزايش تقاضاي انرژي و كربن زدايي، توسعه منابع انرژي سبز و افزايش راندمان تبديل انرژي اخيراً دو موضوع ضروري در زمينه هاي انرژي است. الزامات سطح قدرت و عملكرد سيستم هاي مبدل براي توسعه سريع فناوري هاي مدرن مانند اينترنت اشيا (IoT) و صنعت به طور مداوم در حال رشد است. در اين راستا، افزاره‌هاي سوئيچينگ قدرت مبتني بر مواد با باندانرژي گسترده (WBG) مانند كاربيد سيليكون (SiC) و نيتريد گاليم (GaN) به سرعت رشد پيدا مي‌كنند و انتظار مي‌رود كه مبدل‌هاي قدرت با طرح‌هاي سوئيچينگ پيچيده بسيار سودمند باشند

5/25/2022 12:00:00 AM

75237

1401/04/01

Investigation of high power transistor GaN HEMT modeling methods