چکيده
تكنولوژي LDMOS يكي از تكنولوژي¬هاي اصلي تقويت كننده توان است كه براي ايستگاه¬هاي پايه سلولي براي فركانس¬هاي تا حدود 2.14GHz مورد استفاده قرار مي¬گيرد. همچنين امروزه قطعات LDMOS ولتاژ بالا به طور گسترده¬اي در انواع مدارهاي توان يكپارچه مانند منابع تغذيه سوئيچينگ و تقويت كننده¬هاي توان استفاده مي-شود. طراحي بهينه اين مدارهاي توان نيازمند مدل¬هاي LDMOS ولتاژ بالا براي شبيه سازي مدار است كه ويژگي قطعه را در طيف وسيعي از باياس¬ها توصيف كند. علاوه براين قطعات LDMOS پردازش شده در فيلم نازك سيليكون روي عايق (SOI) يك فناوري جديد و جذاب براي مدارهاي مجتمع توان هوشمند در كاربردهاي مربوط به خودرو ارائه مي¬كند. بنابراين با توجه به اينكه ترانزيستور (SOI-)LDMOS جزء پردكاربرد در مدارهاي قدرت است، گنجاندن جنبه¬هاي خاص ترانزيستور مانند اثرگسترش گيت بر روي ناحيه رانش و رفتار دمايي ضروري است.
