13456

مدل‌سازي ديود و ترانزيستورهاي ماسفت و دوقطبي در دماهاي نزديك صفر كلوين

1402

دكتر محمدعظيم كرمي

پيشرفت‌هاي چشمگير در زمينه رايانه‌هاي كوانتومي، تلاش‌هاي جهاني را براي افزايش تعداد كيوبيت‌ها و ارتقاي قابليت‌هاي آنها برانگيخته است. براي پاسخ به اين نياز، محققان در حال بررسي معماري‌هاي ميكروالكترونيكي جديدي هستند كه از سيليكون براي ادغام كيوبيت‌ها و ترانزيستورها استفاده مي‌كنند. با اين حال، طراحي مدارهاي مجتمع براي عملكرد در دماهاي نزديك صفر كلوين به دليل فقدان مدل‌هاي ترانزيستوري مبتني بر فيزيك براي اين محدوده دما، چالش برانگيز است. مدل‌هاي ترانزيستور موجود به طور كامل رفتار ادوات در دماي پايين را در نظر نمي‌گيرند، كه منجر به هزينه‌هاي زياد طراحي و مانع از كاربرد در رايانه‌هاي كوانتومي مي‌شود. اين گزارش سمينار بر درك و مدل‌سازي رفتار ديودها، ترانزيستورهاي دوقطبي و ترانزيستورهاي اثر‌ميداني در دماهاي نزديك صفر كلوين، با تمركز ويژه بر فناوري هاي CMOS متمركز است. اين تحقيق به بررسي رفتار دمايي كميت‌هاي فيزيكي و اعتبار مدل‌هاي ارائه شده در دماي نزديك صفر كلوين مي‌پردازد. همچنين، تفاوت‌هاي بين مدل‌هاي استاندارد صنعتي و نتايج تجربي در ناحيه‌هاي زير و نزديك آستانه را بررسي مي‌كند. اين گزارش شامل تئوري‌ها و مدل‌هاي تحليلي جديدي است كه درك رفتار ترانزيستور را در دماهاي نزديك صفر كلوين ارتقا مي‌بخشد.

5/29/2024 12:00:00 AM

82957

1403/04/04

Modeling Diode And MOSFET And Bipolar Transistors At Temperatures Close To Zero Kelvin

دماي برودتي , رايانه كوانتومي , دماي پايين , مدل‌سازي , ترانزيستور

Cryogenic , CMOS , MOSFET , Quantum computer , Modeling