13601

بررسي رفتار ترانزيستورهاي HEMT GaN توان باالدر حالت گذرا و پالسي

1402

جناب آقاي دكتر ياوند حسني

ترانزيستورهاي (Transistor Mobility Electron High (HEMT مبتني بر نيتريد گاليوم (GaN (به دليل ويژگي هاي منحصر به فردشان مانند سرعت باال، توان باال، و پايداري حرارتي، در كاربردهاي فركانس باال و توان باال بسيار مورد توجه قرار گرفته اند. يكي از چالشهاي اصلي در عملكرد اين ترانزيستورها، اثرات به دام انداختن شارژ (Trapping Charge (است كه مي تواند به تأخير در پاسخدهي و كاهش كارايي منجر شود. حالت گذرا در ترانزيستورهاي HEMT GaN به پاسخ دستگاه به تغييرات ناگهاني ولتاژها و جريان ها اشاره دارد. اين حالت معموالً زماني رخ مي دهد كه ولتاژ يا جريان به طور ناگهاني تغيير مي كند و دستگاه بايد به شرايط جديد تطبيق پيدا كند. بررسي حالت گذرا اهميت زيادي دارد زيرا بسياري از كاربردهاي اين ترانزيستورها در شرايطي انجام مي شود كه تغييرات سريع ولتاژ و جريان رخ مي دهد، مانند سوئيچينگ قدرت باال و فركانس باال.

5/29/2024 12:00:00 AM

83205

1403/04/24

Investigating the behavior of HEMT GaN transistors in high power mode Transient and pulsating

كليدواژه ها: توان باال، به دام انداختن شارژ ، حالت گذرا،HEMT GaN

Keywords: high power, charge trapping, transient state, HEMT GaN