14734

بررسي انتشار باريكه و مدهاي انتشار باريكه در فيبرهاي فوتونيك كريستال

1400

دكتر مهدي شايگان منش

دكتر علي پناهپور

پلتفرم‌هاي با شاخص نزديك به صفر به عنوان يك فرصت جديد براي دستكاري نور با تقويت غيرخطي‌هاي نوري، خواص انتقال در موجبرها و توزيع فاز ثابت به وجود مي‌آيند. علاوه بر اين، آنها راه حلي براي عدم تطابق امپدانس در مدارهاي فوتونيكي ارائه مي دهند كه كاربردهاي متعددي در فوتونيك كوانتومي، ارتباطات و سنجش ارائه مي دهند. با اين حال، تحقق آنها محدود به در دسترس بودن موادي است كه مي توانند چنين شاخص پاييني را نشان دهند. براي مواد مورد استفاده در طول موج هاي مرئي و مادون قرمز نزديك، تلفات ذاتي اكثر خواص شاخص نزديك به صفر را از بين مي برد. طراحي بلورهاي فوتونيك تمام دي الكتريك با حالت هاي الكترومغناطيسي خاص بر مسئله تلفات ذاتي غلبه مي كند در حالي كه شاخص حالت موثر نزديك به صفر را نشان مي دهد. با اين وجود، اين حالت‌ها به شدت به محيط اطراف تابش مي‌كنند و كاربردهاي دستگاه‌ها را تا حد زيادي محدود مي‌كنند. در اينجا، يك ساختار كريستالي فوتونيك تمام دي الكتريك جديد مورد بررسي قرار مي گيرد كه قادر است حالت هاي موثر نزديك به صفر را همراه با حالت هاي محدود هدايت كننده در پيوستار حفظ كند تا تلفات تابشي را كاهش دهد و فرصت هاي فوق العاده اي را براي دستكاري تابش در مدارهاي نانوفوتونيكي باز كند. علاوه بر اين، طراحي نسبتا ساده و پايداري فاز آن، ادغام و تكرارپذيري با ساير اجزاي فوتونيك را تسهيل مي‌كند.

10/14/2021 12:00:00 AM

86778

1404/02/27