چکيده
با پيشرفت فنّاوري و كوچك شدن افزاره ماسفت، مشكلاتي مانند افزايش جريان‌هاي نشتي ناشي از محدوديت شيب زير آستانه آن‌ها در 60mv/dec همچنين عملكردشان در مقابل خطاي نرم و افزايشي كه در توان مصرفي آن‌ها وجود دارد . برخي دانشمندان دنبال جايگزيني براي آن‌ها بودند كه در اين سمينار ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي را با توجه به مقاومت بيشتري كه در برابر آثار ناشي از مقياس بندي افزاره و همچنين توان مصرفي كمتري كه به دليل جريان نشتي كم و شيب زير آستانه‌بالا دارند. در عملكردهاي پايين يكي از كانديدهاي مناسب براي جايگزين كردن به‌جاي ماسفت ها معرفي مي‌گردد. همچنين به يكسري چالش‌هاي مهم مانند خازن ميلر افزايش‌يافته كه سبب محدوديت اين نوع ترانزيستورها براي كاربردهاي ديجيتال و جريان روشني كم كه باعث محدوديت براي كاربردهاي آنالوگ مي‌شود پرداخته مي‌شود. براي بررسي مدل‌سازي نيز انواع مدل تونل زني و مدل‌هاي مطرح‌شده براي خازن‌ها و مقاومت‌هاي آن را بررسي مي‌كنيم. درنهايت به پروسه‌هاي مهمي كه در ساخت انواع ترانزيستورهاي اثر ميداني تونلي ازجمله ترانزيستورهاي صفحه‌اي ، عمودي، L شكل‌گرفته و متقارن هست پرداخته مي‌شود.
