چکيده
چكيده
ترانزيستور HEMTنوعي ترانزيستور اثر ميداني و يا اصطلاحا همان 1FET است، طوري طراحي شده كه در فركانس هاي مايكروويو كارآيي بالايي داشته باشد. از خصوصيات ويژه اين ترانزيستور ضريب نويز كم در فركانس هاي بالا و مايكروويو است. در فركانس هاي بالا و نوسان كننده هاي مايكروويو عملكرد بسيار مطلوبي دارد و ميزان نويز پذيري آن در اين مدارات بسيار پايين است. مكانيسم كوانتومي اين ترانزيستور مبتني بر نوع مواد سازنده آن است كه دو نوع از ترانزيستور HEMT را مي توان با آن ساخت. مواد سازنده اين ترانزيستور از قبيل : گاليوم- آرسنيك- اينديوم- فسفات- نيترات- آلومنيوم مي باشد. دو نوع ترانزيستور pHEMT و nHEMT وجود دارد كه با آنها مي توان مدارات فركانس بالا با نويز كم و توان بالا طراحي وشبيه سازي كنيم.
