6850

افزاره هاي ميكرو و نانو الكترونيك

95

دكتر آيت الهي

در اين پيشنهاديه اتصالات داخلي مدارهاي مجتمع ، كاهش اثرات پارازيتي، چگونگي قراردادن 2TSV در كنار هم ،كم كردن طول سيم و همچنين اثرات ميداني را برسي نماييم . مدل هاي سطحي مدار براي تعيين عملكرد يك آي سي سه يعدي كه با استفاده از TSV طراحي شده اند براي به حداكثر رساندن پهناي باند مشترك پيوند سه بعدي، نشان داده شده است كه آرايه TSV را به زيربناهاي كوچكتر تقسيم كرده و ورودي و خروجي به TSV ها نزديك تر است، در مقايسه با داشتن آرايه هاي TSV بزرگ، بهتر است.

1/1/1900 12:00:00 AM

66515

1398/09/23

بررسي طراحي مدارهاي مجتمع با استفاده از تكنولوژي اتصال از ميان سيليكون

Design of integrated circuits using silicon interconnection technology