11378

11378

بررسي اثر طول و نقص ساليتوني بر رسانش سيم مولكولي پلياستيلن

كارشناسي ارشد

فيزيك

بهمن ماه 1391

بهمن ماه 1391

دكتر فيض آبادي

چكيده درك مكانيزم عبور جريان در نانوسناختارها بنراي توسنعه قطعنات الكترونيكني ضنروري اسنت. با توجه به اهميت خواص ترابري از ساختارهاي مولكولي، در اينن تحقينق ينك سن يم مولكن نولي يكبعدي را به دو رابط متصل كرده، با درنظر گرفتن هاميلتوني سيستم در مند بسنتگي قنوي بنا استفاده از نظريههاي لاندائر و با بهكارگيري رهيافت قدرتمند تاب گرين به محاسبه ضنريب عبنور سيستم ميپردازيم. همچنين در اين پژوهش ما اثنرات تييينر طنو زنجين ره، عنرض رابنط، و نينز حضور نقصهاي ساليتوني و پيوند را بر ويژگيهاي الكترونيكي سيم را بررسي خواهيم كرد. محاسبات عددي ما نشان داد كه ويژگيهاي ترابرد به شدت به جايگاه ساليتون، مكان نقص پيوند، عرض رابط و طو زنجيره وابسته است. در حالتيكه مكان ناخالصي به ميانه سنيم ن زدينك باشند، رسانش سامانه در محدوده انرژي فرمي بيشتر خواهد بنود. هنگنامي كنه طنو سنيم مولكنولي را افزايش دهيم، رسانش سيم به صورت نمايي كاهش مييابد. در رابطهاي با عرض محدود )عرض يك تا حدود 1 مولكو ( رسانش در رابنط هناي عنريض تنر بهتر ميباشد. با افزايش بيشتر عرض رابط رسانش تييير چنداني نميكند. در زنجيرههاي يكبعدي با تعداد جايگاه زوج، رسانش در اننرژي فرمني بسنيار انندك اسنت، در حاليكه در سيمهاي با طو فرد رسانش خوبي در انرژي فرمي خواهيم داشت. واژ ههاي كليدي: ترابرد كوانتومي، سيم مولكولي، نانو الكترونيك، تاب گرين، زنجيره پلياستيلن.