15824

15824

ارائه روشي براي محافظت از حافظه‌هاي مقاومتي در برابر خطاهاي سخت

كارشناسي ارشد

معماري سيستم هاي كامپيوتري

اسفند ماه 1394

اسفند ماه 1394

دكتر مهدي فاضلي

كامپيوتر

چكيده در سال‌هاي اخير، ابعاد سلول‌هاي حافظه‌هاي امروزي مانند DRAM، SRAM و FLASH خيلي كوچك شده است. جريان نشتي بالا و همچنين حساسيت نسبت به خطاهاي نرم، مقياس‌پذيري اين حافظه‌هارابامشكلاتجدي مواجه كرده است. به همين دليل، حافظه‌هاي مقاومتي غير‌فرار در حال پيدايش، به عنوان يك جايگزين، بسيار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته‌اند. اين حافظه‌هاي نوظهور داراي ويژگي‌هاي مثبتي چون چگالي بالا، توان ايستاي تقريباً صفر و مقاوم بودن در برابرخطاهاي نرم مي‌باشند.با وجود پيشرفتهاي زيادي كه براي استفاده از اين حافظه‌هاانجامشدهاست،همچنانتعداددفعاتي كه مي‌توان عمل نوشتن را به صورت مطمئن در اين حافظه‌هاانجامداد،مشكلي است كه مانع از توسعه اين فناوري و جايگزيني كامل حافظه‌هاي سنتي مبتني بر فناوريCMOS شده است. به اين خطاي ناشي از نوشتن زياد بر روي اين حافظه، خطاي سخت مي‌گويند. ما در اينپايان نامه مكانيزمي را براي مقابله با خطاي سخت و افزايش طول عمر حافظه مقاومتي مطرح كرده‌ايم. اين روش، مبتني بر روش‌هاي تشخيص و تصحيح خطاست و اين كار را در دو سطح انجام مي‌دهد. در ابتدا اگر خطايي اتفاق افتاد، براي تصحيح آن از حافظه كنار هر صفحه، به نام حافظه دم دستي استفاده مي‌كند. اگر اين حافظه دم دستيپر شده بود، از استخر بخش‌هاي تصحيح خطا، كه در انتهاي حافظه تعبيه شده است استفاده مي‌كند. نتايج حاصل از شبيه‌سازي نشان مي‌دهد كه روش ما، به نسبت روش شناخته شده ECP-6 طول عمر حافظه را 1/2 برابر كرده است و در قياس با روش PAYG اين بهبود، حدود 40% است. واژه‌هاي كليدي:حافظه‌هاي مقاومتي، حافظه تغيير فاز، فرسودگي حافظه، خطاي سخت، روش‌هاي تشخيص و تصحيح خطاي سخت