17132

17132

تهيه لعاب نيمه هادي بر پايه اكسيدهاي قلع آنتيموان نيكل براي كاربرد روي مقره الكتريكي و بررسي خواص الكتريكي آن

كارشناسي ارشد

سراميك

بهمن 1395

دكتر بيژن افتخاري يكتا - دكتر سارا بني جمالي

مواد و متالورژي

در پژوهش حاضر، لعاب هاي نيمه هادي بر پايه NiO- SnO2-Sb2O3 با فاز بلورين كاسيتريت تهيه شد و پس از اعمال روي بدنه پرسلاني، خواص الكتريكي آن بررسي شد. عمده ترين عوامل مؤثر بر نتايج نهايي، مورفولوژي ميله اي فاز سنتز شده و درصد بهينه كلسينه شده جزء نيمه‌هادي (8 درصد) و هم‌چنين شرايط اتمسفر كوره پخت بود. بر اساس نتايج به دست آمده، بيشترين ميزان فاز كاسيتريت در نمونه لعاب هاي غير درجا با 8 درصد جزء نيمه هادي بودند كه كل بخش جزء نيمه هادي، از قبل كلسينه شده بودند. همچنين با افزايش درصد اكسيد نيكل در لعاب سه جزئي اكسيدهاي قلع-نيكل-آنتيموان، ميزان فاز متبلور شده كاسيتريت افزايش يافت و بلورك هاي ريزتر 88 آنگسترومي حاصل شد. نتايج نشان داد كه با اعمال اين لعاب هاي دو جزئي SnO2-Sb2O و NiO-SnO2 و لعاب هاي سهجزئي نيمه هادي NiO-SnO2-Sb2O3 روي مقره هاي پرسلاني، ميزان مقاومت سطحي لعاب هاي سنتز شده بين MΩ.Cm 45-30 اندازه گيري شد كه نسبت به لعاب نيمه هادي بر پايه اكسيد آهن-كروم قهوه اي رنگ كارخانه مقره سازي ايران (مانه) كاهش محسوس حدود MΩ.Cm 30 مشاهده شد. هم‌چنين، ميزان باند ممنوعه لعاب مذكور حدود 2 – 2/6 eV اندازه گيري شد كه انتظار مي رود اين مقدار نسبت به لعابهاي معمولي و لعاب هاي نيمه هادي بر پايه اكسيد آهن-كروم، كاهش يافته باشند.

1396/01/28

1/1/1900 12:00:00 AM

In the present research, semiconductor glazes based on crystalline phase of cassiterite (NiO-SnO2-Sb2O3) have been prepared an​d then applied on porcelain's bodies. Properties of the samples have been eva​luated. Mostly parameters affecting on final results were morphology of synthesized phases, percentage of modified calcined semiconductor part (8%) an​d also atmosphere of kiln. Based on obtained results, maximum amount of cassiterite phase was in the ex_situ glazes which in them all of semiconductor parts were calcined formerly. Increasing NiO amount in ternary glazes of (NiO-SnO2-Sb2O3) causes an increase in quantity of synthesized crystalline phases of cassiterite an​d finer crystallites (88 ). Results show that applying the mentioned binary an​d ternary semiconductor glazes on porcelain insulators has considerable effects on reducing surface electrical resistance an​d increasing electrical conductivity. The Surface resistance of synthesized glazes were measured between 30_45 MΩ.Cm which has considerable reduce of about 30 MΩ.Cm in comparison with brownish semiconductor glaze based on Fe-Cr oxids produced by Iran Insulators Co. Moreover, band gap of mentioned glazes was measured around 2-2/6 eV an​d it expects that this quantity to reduce in normal an​d semiconductor glazes based on Fe-Cr oxides.