18479

۱۸۴۷۹

خواص ترابرد الكتروني نانو نوار تنگستن دي سولفايد توسط روش تابعي چگالي

كارشناسي ‌ارشد

حالت جامد

دي ماه ۱۳۹۶

دكتر مهدي افشار

فيزيك

در چندين دهه اخير با رشد علم نانو و تلاش براي تركيب مواد مغناطيسي و نيمه رسانا، به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي نيمه فلزات پرداخته شده است، با كوچكتر شدن لوازم الكترونيكي نياز براي ساخت قطعات كوچكتر با بازدهي بالاتر و مصرف كمتر بيشتر مي شود. به همين دليل ساخت مواد در ابعاد نانو و تغيير خواص آن ها بر حسب نياز مورد اهميت خاصي قرار دارد. در دهه اخير، توجه دانشمندان از ميان تمامي اين مواد به مواد دو بعدي از جمله گرافن جلب شده است، اما يكي از مشكلات بزرگ اين ماده نداشتن گاف انرژي مي باشد. به همين علت پژوهش ها به سمت دست يابي بيشتر به ديگر مواد دو بعدي از جمله 2WS و بررسي خواص الكتروني آنها ميل كردند. در اين پايان نامه با استفاده از نظريه تابعي چگالي DFT و با استفاده از كد محاسباتي SIESTA/TRANSIESTA و با تقريب GGA، خواص ساختاري و الكتريكي و مغناطيسي تنگستن دي سولفايد مورد بررسي قرار گرفته است. پنج ساختار نانو نوار با آرايش مختلف از تهي جايگاه بررسي شده، خواص الكتروني و مغناطيسي آنها مورد بررسي قرار گرفته و در نهايت ويژگي هاي ترابردي آنها بررسي شده است.

1396/11/28

2/17/2018 12:00:00 AM

Materials of the general form MX2 (transition metal dichalcogenides) have generated a lot of interest recently. They can form nanoribbons like graphene and such nanoribbons have versatile electronic structures. Here, we investigate the effect of point vacancies on the spin conductivities of Tungstenite (WS2) nanoribbon. Using non-equilibrium Green's functions in combination with density functional theory and in the regime of Landauer-Buttiker scheme, we have obtained spin-transport specifications in samples with different distributions of disorder. Our results indicate that electronic transport properties can be highly modulated by vacancies in edges of the zigzag WS2 nanoribbon. Furthermore, prominent negative differential resistance (NDR) is vividly emerged.