-
شماره ركورد
18967
-
شماره راهنما(اين فيلد مربوط به كارشناس ميباشد لطفا آن را خالي بگذاريد)
۱۸۹۶۷
-
پديد آورنده
ميترا گودرزي
-
عنوان
طراحي ساختار ليزر چاه كوانتومي AlxGa1-xAs(800نانومتر) و تأثير عرض چاه و ناخالصي در بهينه سازي بهره ليزر
-
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
-
رشته تحصيلي
اتمي مولكولي
-
سال تحصيل
۱۳۹۴-۱۳۹۶
-
تاريخ دفاع
۱۳۹۶/۱۲/۲۰
-
استاد راهنما
دكتر محمد حسين مهديه
-
دانشكده
فيزيك
-
چكيده
در اين پايان نامه طراحي يك ليزر AlGaAs با چاه كوانتومي مورد بررسي قرار گرفته است. در طراحي ها از مقادير مختلف درصد آلومينيوم و تغيير عرض چاه كوانتومي در ناحيه فعال براي عملكرد متفاوت ليزر استفاده شده است.
در عين حال عملكرد ليزر در شرايط بهينه در هر طول موج خاص به درصد معيني از آلومينيوم و عرض چاه مشخصي وابسته است. در اين پژوهش ساختار ليزر بهينه براي طول موج 800 نانومتر بررسي شد. معيار بهينه سازي بر اساس دست يابي به بالاترين توان و كمترين جريان آستانه تعيين گرديد. در اين بهينه سازي محدوديتهاي رشد عملي مواد نيمرسانا و آستانه تخريب اپتيكي ليزر در نظر گرفته شد.
-
تاريخ ورود اطلاعات
1397/03/01
-
عنوان به انگليسي
A Thesis Submitted in Partial Fulfillment of the Requirement for the Degree of Master of Science in Atomic and Molecular physics
-
تاريخ بهره برداري
5/22/2018 12:00:00 AM
-
دانشجوي وارد كننده اطلاعات
ميترا گودرزي
-
چكيده به لاتين
In this thesis, the design of a AlGaAs laser with a quantum well has been investigated. In designs, various percentages of aluminum and the variation in the width of the quantum well in the active zone are used for different laser performance.
At the same time, the performance of the laser depends on the optimal conditions at each wavelength to a certain percentage of the aluminum and the specific well width. In this paper, the optimal laser structure for a wavelength of 800 nm was investigated. The optimization criterion was determined on the basis of reaching the highest power and lowest threshold threshold. In this optimization, the practical growth limitations of the semiconductor materials and the threshold for optical laser destruction were considered.
-
لينک به اين مدرک :