19599

۱۹۵۹۹

طراحي ساختار لايه هاي اپيتكسي شده براي ساخت ليزر نيم رساناي ۸۰۸ نانومتر با روش انتخاب ماده و دوپنت

كارشناسي ارشد

فيزيك اتمي و مولكولي

۱۳۹۷/۰۲/۳۱

دكتر محمد حسين مهديه

فيزيك

ضخامت لايه و پروفايل ضريب شكست موجبر ليزر نيم‌رسانا تعيين‌كننده مشخصات الكترواپتيكي در ليزرهاي نيم‌رسانا است. در اين پايان‌نامه نشان داده شده است كه با به‌كارگيري موجبري با ضريب شكست با تغييرات تدريجي و افزايش ضخامت لايه موجبر به‌جاي ساختار پله‌اي مي‌توان مشخصات الكترواپتيكي همچون واگرايي در محور تند و جريان آستانه را بدون كاهش بازدهي بهبود بخشيد. همچنين با اضافه كردن مقدار ناخالصي مناسب در لايه موجبر بخش n، بدون اضافه شدن مؤثر اتلاف حامل‌هاي آزاد، مي‌توان از كاهش مشخصه ضريب بازده توان به جريان جلوگيري كرد. از ليزر ديود تك چاه كوانتومي GaAs/Al_x Ga_(1-x) As گسيلنده در طول موج 808 نانومتر استفاده شده است. مقدار مولار Al در موجبرهاي با ضريب شكست خطي، از 3/0 در لبه چاه كوانتمي تا 5/0 در لبه لايه غلاف متغير است و در موجبرهاي پله اي برابر با 4/0 در نظر گرفته شده است. ساختارهاي با موجبر خطي به ضخامت 5/2 ميكرون و 9/2 ميكرون، به ترتيب، نسبت به ساختارهاي با موجبر پله اي به ضخامت 1 ميكرون و 4/1 ميكرون داراي عملكردهاي بهبوديافته اي هستند و مي توانند جايگزين مناسبي براي ساختارهاي پله اي ذكر شده باشند. براي هر دو ساختار داراي موجبر خطي، ناخالصي متغير از مقدار صفر در لبه چاه كوانتومي تا 17+10 در لبه لايه غلاف براي بخش n موجبر استفاده شده است كه از كاهش شديد بازده شيب جلوگيري مي كند.

1397/08/06

The structure design of epitaxial layers for fabrication of semiconductor laser emitting at 808nm with choice of matter and dopant

10/28/2018 12:00:00 AM