• شماره ركورد
    33500
  • پديد آورنده

    ساناز حكمتي

  • عنوان
    مطالعه و بررسي آشكارسازهاي بهمني مبتني بر نيمه هادي هاي InP/InGaAs
  • مقطع تحصيلي
    ارشد
  • رشته تحصيلي
    فيزيك
  • سال تحصيل
    1401
  • تاريخ دفاع
    07/12/1403
  • استاد راهنما
    دكتر شهاب نوروزيان علم
  • استاد مشاور
    ندارم
  • دانشكده
    فيزيك
  • چكيده
    آشكارسازهاي بهمني (ADPs ) به دليل عملكرد بالا و پاسخ به طيف طول موج فيبر نوري به طور گسترده در سيستم هاي ارتباطي نوري فاصله دور و با نرخ بيت بالا استفاده مي شوند. فناوري ارتباطات و اطلاعات كوانتومي و علم اندازه گيري دقيق از جمله تكنولوژي هاي لبه فناوري هستند كه هر روز بيش از پيش به اهميت آن ها افزوده مي شود. آشكارسازهاي بهمني مدت هاست كه جز حياتي در انتقال سيگنال ها از راه دور بوده اند. در طول چند دهه گذشته در مقايسه با ساير آشكارسازهاي نوري مبتني بر نيمه هادي با بهره داخلي بزرگ خود آشكارسازهاي بهمني معمولاً زمان پاسخ داخلي كوتاه تر، پهناي باند نوري به الكتريكي وسيع تر، عملكرد نسبت توان نويز معادل كمتر و حساسيت بالاتر را مي دهند. از سوي ديگر، آشكارساز بهمني با بهره واحد بالا داراي چگالي جريان اشباع خروجي كمتر و كوچكتر است. اخيراً تقاضاي زيادي براي گيرنده هاي نوري با دامنه ديناميكي بزرگتر براي استفاده در سيستم هاي منسجم وجود داشته است. بنابراين، توليد دستگاه‌هاي آشكارساز بهمني كه مي‌توانند پاسخ‌دهي بالا و عملكرد با سرعت بالا را تحت جريان خروجي اشباع بالا حفظ كنند، مهم شده است در يك آشكارساز بهمني، مشخصات مواد سازنده، ساختار افزاره، شكل هندسي و مواد به كار برده شده بر روي مشخصات اصلي اعم از كارايي تشخيص فوتون، نرخ شمارش تاريك، پس پالس و زمان لرزش تاثير گذار هستند. در اين كار، اثر صخامت لايه تكثير و لايه جذب بر عملكرد آشكارساز بهمني مورد مطالعه و بررسي قرار گرفته است. نرم افزار شبيه سازي سيلواكو به عنوان ابزار شبيه سازي براي شبيه سازي يك مدل دقيق از InGaAs/InP APD و تجزيه و تحليل عملكرد آن در شرايط روشنايي استفاده مي شود و يافته هاي حاكي از آنند كه يك همبستگي بالا بين مشخصه هاي افزاره و و ضخامت لايه تكثير و لايه جذب وجود دارد.
  • تاريخ ورود اطلاعات
    1404/04/18
  • عنوان به انگليسي
    Study an‎d investigation of avalanche photodiode based on InP/InGaAs semiconductors
  • تاريخ بهره برداري
    2/26/2026 12:00:00 AM
  • دانشجوي وارد كننده اطلاعات

    ساناز حكمتي

  • چكيده به لاتين
    Avalanche Photodiodes (ADPs) are widely used in long-distance an‎d high-bit-rate optical communication systems due to their high performance an‎d response to the optical fiber wavelength spectrum. Quantum communication an‎d information technology an‎d precision measurement science are among the cutting-edge technologies that are becoming more an‎d more important every day. Avalanche Photodiodes have long been a vital component in long-distance signal transmission. Over the past few decades, compared with other semiconductor-based optical detectors with large internal gain, avalanche detectors usually offer shorter internal response time, wider optical-to-electrical ban‎dwidth, lower equivalent power-to-noise ratio performance, an‎d higher sensitivity. On the other han‎d, avalanche detectors with high unity gain have lower output saturation current density an‎d smaller output. Recently, there has been a great deman‎d for optical receivers with larger dynamic range for use in coherent systems. Therefore, it has become important to produce avalanche photodiode devices that can maintain high response an‎d high-speed performance under high saturation output current. In an avalanche photodiode, the material properties, device structure, geometry, an‎d materials used affect the main characteristics including photon detection efficiency, dark count rate, past-pulse, an‎d timming time. In this work, the effect of the thickness of the multiplication layer an‎d the absorption layer on the performance of the avalanche photodiode is studied an‎d investigated. Silvaco simulation software is used as a simulation tool to simulate an accurate model of InGaAs/InP APD an‎d analyze its performance under illumination conditions, an‎d the findings indicate that there is a high correlation between the device characteristics an‎d the thickness of the multiplication layer an‎d the absorption layer
  • كليدواژه هاي فارسي
    آشكار ساز بهمني , نيمه هادي شبيه سازي , سيلواكو
  • كليدواژه هاي لاتين
    Avalanche photodiode , simulated semiconductor , silvaco
  • Author
    sanaz hekmati
  • SuperVisor
    Shahab Norouzian Alam